本發明提供了一種用于護罩的輔助定位裝置，包括用于固定到基準工件的基座，所述基座上設有徑向測距單元和高度調整單元，所述徑向測距單元包括承載面和與所述承載面垂直的定位面，所述承載面能夠在所述基座上沿徑向移動，所述高度調整單元包括固定塊和定位...

本發明提供了一種電化學刻蝕方法及電化學刻蝕裝置，涉及半導體加工技術領域。電化學刻蝕方法包括：對刻蝕對象無需刻蝕的背面進行金屬化處理，在所述刻蝕對象的背面形成金屬層；對所述刻蝕對象需要刻蝕的正面進行電化學刻蝕處理。在電化學刻蝕處理之前，首...

本發明提供一種晶圓傳輸機械手的清洗裝置，包括：清洗槽，清洗槽的內部形成有容納清洗液和所述晶圓傳輸機械手的清洗空間；干燥部，設置于清洗槽的內部，用于干燥晶圓傳輸機械手；清洗槽進一步設置有出口，出口位于干燥部和清洗液的液面之間，出口適于接入...

本申請的實施例提供了一種晶圓保護裝置，包括第一承載板、第二承載板和氣體管道，第一承載板為中心低邊沿高的凹板，中心開設第一通孔，邊沿承載晶圓；第二承載板設置在第一承載板朝向晶圓的一側，與第一通孔相對設置且尺寸大于第一通孔，第二承載板距離第...

本發明公開了一種基板轉運裝置，包括翻轉裝置、推動裝置、支撐架和升降機構，翻轉裝置包括載片架，載片架用于保持基板；推動裝置包括承載部，承載部用于與載片架之間進行基板的交接；支撐架的第一端與推動裝置連接，支撐架的第二端與升降機構連接，支撐架...

本發明提出一種晶圓烘焙裝置，熱腔體，具有加熱頂板，且熱腔體內填充有液體傳熱介質；加熱單元，用于對液體傳熱介質進行加熱，并使液體傳熱介質沸騰，并藉由液體傳熱介質沸騰產生的熱蒸氣對加熱頂板進行傳熱；控壓單元，被配置為調控熱腔體內的壓強維持在...

本發明提出的電鍍裝置，包括中心流管，穿設在陽極內，一端為陽極電鍍液進口，另一端延伸出陽極表面，且連接有多個向陽極的邊緣延伸的分支流管，各分支流管設有多個噴射孔；陽極電鍍液通過分支流管的噴射孔供應到陽極表面。本發明能夠將陽極電鍍液引流至陽...

本申請公開了一種晶圓干燥裝置和晶圓干燥方法，晶圓干燥裝置包括腔體；設置在腔體頂壁的超臨界干燥流體入口，以及設置在腔體內的承載件和第一勻流組件，超臨界干燥流體入口用于向腔體內提供超臨界干燥流體；承載件用于承載多片豎直放置的晶圓，多片晶圓在...

本發明提出溶液溫度實時調控系統及方法，涉及半導體加工技術領域。包括：供液模塊，被配置為向混液模塊供給不同溫度的溶液；混液模塊，被配置為接收所述供液模塊供給的不同溫度的溶液并混合均勻；溫度檢測模塊，被配置為檢測混液模塊混合均勻后溶液的溫度...

本發明提出了一種基板處理裝置，包括：處理槽，用于收容多個基板及貯存浸沒所述多個基板的處理液；鼓泡器，配置在處理槽中，且位于多個基板的下方，浸沒在處理液中，用于向處理液供給氣體以形成氣泡，鼓泡器包括：噴氣部，噴氣部的上部具有多個朝向多個基...

本發明公開了一種硅片托舉環、薄膜沉積設備及薄膜沉積方法。硅片托舉環可裝設于薄膜沉積腔室內，薄膜沉積腔室內設有用于承載硅片進行薄膜沉積的加熱臺，硅片托舉環具有可伸縮內徑；在薄膜沉積期間，硅片托舉環被配置為：可伸縮內徑擴張至大于硅片直徑和加...

本發明提供了一種接觸件、夾盤及電鍍設備，涉及半導體電鍍技術領域，接觸件沿直線延伸，包括安裝基體和接觸基體，安裝基體包括多個間隔設置的安裝部，多個安裝部沿安裝基體的長度方向分布，相鄰安裝部之間通過第一鏤空區域分隔開，每一安裝部上設置有凸出...

本發明公開了一種晶圓清洗裝置及清洗方法，涉及半導體設備領域，晶圓清洗裝置包括：第一槽體，用于容納清洗液和晶圓；第二槽體，用于容納清洗液；噴淋機構，用于向所述晶圓噴淋清洗液；第二循環過濾管路，第二循環過濾管路的進液口能夠與第一槽體連通，第...

本發明提供一種化學液濃度調節方法、系統及裝置。該方法包括：若是目標濃度小于當前濃度，基于第一補償關系，得到目標補充量，其中第一補償關系用于表征目標補充量與化學液當前密度、當前濃度、當前體積、目標濃度及第一補充液體的密度之間的對應關系；若...

本發明公開了一種腔體氣體環境控制裝置及晶圓清洗設備，涉及半導體設備領域。腔體氣體環境控制裝置包括腔體以及設置于所述腔體上的風機過濾單元和排氣單元，腔體氣體環境控制裝置還包括：進氣板，所述進氣板設置于所述風機過濾單元的進風口處，并封閉進風...

本發明提供一種循環式過濾系統，通過第一過濾器、第二過濾器及控制閥等的設置，在無需額外引入外部氣體的情況下，可便捷地實現對第一過濾器和/或第二過濾器的切換及反吹，以有效解決過濾器堵塞問題，且可避免向系統中引入雜質。

本發明公開了一種位置檢測裝置、半導體設備及檢測基板偏移量的方法，位置檢測裝置包括檢測區域、多個檢測器和控制器，多個檢測器配置在檢測區域，當機械手和基板置于檢測區域時，多個檢測器被配置為：分別向基板表面發射一具有一寬度的檢測信號，每個檢測...

本申請提供一種晶圓緩沖層邊緣的清洗方法和設備。清洗方法包括：旋轉晶圓，向晶圓表面噴灑第一清洗液，以去除所述晶圓邊緣的緩沖層，所述晶圓表面形成副產物印記；獲取所述副產物印記的位置，記為標記位置；保持晶圓旋轉，向所述標記位置噴灑第二清洗液，...

本發明公開了一種氣壓調節系統及基板處理裝置。該氣壓調節系統用于調節基板處理裝置中不同工藝腔內的氣壓，包括：排風管路，與所述工藝腔連接；排風調節閥，設置在所述排風管路上；氣壓計，設置在排風管路上，并且位于所述工藝腔和所述排風調節閥之間；控...

本發明公開了一種晶圓盒載臺，涉及半導體設備領域，一種晶圓盒載臺，包括底座，所述底座用于承載晶圓盒；殼體，所述殼體設置于所述底座上，所述殼體和所述底座形成用于容納所述晶圓盒的容納腔，所述殼體設置有用于從所述晶圓盒取晶圓的出口和用于放置晶圓...