本申請提供了一種用于薄膜真空規的量程變換器，涉及半導體技術領域。該量程變換器可以包括輸入接口、信號處理電路、輸出接口；輸入接口與薄膜真空規的輸出端連接，輸入接口將薄膜真空規的輸出信號引入信號處理電路中；信號處理電路對薄膜真空規的輸出信號...

本公提供了一種自對準結構氮化鎵p溝道增強型器件的制備方法，包括：操作S1：制備異質外延襯底，自下至上包括襯底、緩沖層、勢壘層、蓋帽層；操作S2：在蓋帽層表面制備硬掩模層；操作S3：保留器件中間區域的硬掩膜層以暴露蓋帽層，或對器件兩側的異...

本發明提供了一種具有自對準效應的自激發光刻方法，涉及半導體工藝技術領域。在第一次光刻處理時使用第一掩模版僅僅是為了定義出第二次光刻處理時的有效光刻區域，因此第一掩模版可以使用尺寸較大的掩模版，極大程度的降低了第一掩模版的制造難度；由于第...

本發明公開一種霍爾器件及其制作方法，涉及半導體器件技術領域，以解決現有的霍爾器件難以實現更高的靈敏度的問題。所述一種霍爾器件，包括：P型襯底、低摻雜N型層、電極以及溝槽；低摻雜N型層淀積在P型襯底上；電極分別設置在低摻雜N型層的端角處，...

本發明公開一種單粒子效應的定位系統、定位方法和存儲介質，涉及半導體技術領域，以解決現有技術中單粒子效應定位不準確的問題。定位系統包括：上位機、磁場傳感器和成像裝置；磁場傳感器為包含NV中心的金剛石薄片；磁場傳感器的下方放置有具有電流流動...

本公開提供了一種單向寫入磁電耦合磁存儲器，包括：自旋軌道耦合層；磁電耦合層單元，包括分別對稱形成于自旋軌道耦合層上下兩側的第一磁電耦合層和第二磁電耦合層；自由層單元，包括分別對稱形成于第一磁電耦合層外的第一自由層和第二磁電耦合層外的第二...

本說明書實施例提供了一種提高金屬微電鑄均勻性的方法，方法包括：基于光刻技術，根據基底上陰極的位置，在電流密度不均勻區域，制備輔助陰極；所述輔助陰極為環形，環繞所述陰極設置，且覆蓋所述電流密度不均勻區域，所述電流密度不均勻區域在金屬微電鑄...

本公開提供了一種顳下頜關節運動狀態檢測系統及檢測方法，可以應用于生物運動檢測技術領域。該顳下頜關節運動狀態檢測方法包括：頭戴式顳下頜關節運動狀態傳感器，用于采集顳下頜關節的數字壓電信號和數字靜態壓力信號；處理器用于：響應于接收到的數字壓...

本公開提供一種磁電耦合器件及神經網絡加解密方法，磁電耦合器件包括：襯底；底電極，設置于所述襯底的表面；復雜氧化物層，設置于所述底電極背離所述襯底的表面；磁性PUF層，設置于所述復雜氧化物層背離所述襯底的表面；頂電極，設置于所述磁性PUF...

本公開提供了一種大面積掩模板的三維潛像計算方法和裝置。本公開的方法包括：構建樣本掩膜板圖案的樣本局部特征圖案和樣本局部特征圖案對應的三維潛像的訓練集；根據訓練集對生成對抗網絡進行訓練；基于第一分割方式將待處理的掩膜板圖案進行圖像分割，得...

本發明涉及一種GNSS共星雙頻信號基帶載波/碼聯合跟蹤處理方法及接收機，屬于衛星導航定位技術領域，方法包括：利用雙頻聯合載波跟蹤環路進行雙頻載波的閉環跟蹤；雙頻聯合載波跟蹤環路中，聯合利用雙頻點各自的載波跟蹤環路的載波鑒相結果，分別預測...

本發明公開了一種半導體器件及其制造方法，涉及半導體技術領域，以使得接觸結構和埋入式電力層之間具有良好的電性連接，利于提升半導體器件的工作性能。半導體器件包括基底、邏輯元件、信號連接層和電源連接層。基底內設置有沿基底的厚度方向分布、且電連...

本發明提供一種單斜模數轉換器及其信號處理方法，涉及電子電路技術領域，單斜模數轉換器包括：列共用電路以及與列共用電路連接的至少一個列電路，列共用電路包括斜坡發生器，列電路包括開關電路、第一電容電路、第二電容電路、比較電路、寄存器和N?1位...

本發明公開一種芯片微閂鎖效應的定位方法和定位系統，涉及半導體技術領域。定位方法包括：獲取待測芯片進行粒子輻射時對應的電流增量；所述待測芯片包括至少一層集成電路；若所述電流增量大于零且小于或者等于預設電流值，則基于量子金剛石顯微鏡對輻射后...

一種光學測量裝置，適用于測量待測微納米薄膜，待測微納米薄膜包括透明部分和非透明部分，光學測量裝置包括：樣品臺，適用于容納待測微納米薄膜；光產生組件，適用于發出測量光；透鏡組件，適用于使測量光聚焦至待測微納米薄膜表面的目標位置，透鏡組件包...

本公開提出了一種鐵電晶體管的柵極堆疊結構，包括柵氧層、鐵電相種子層、鐵電層、隔離層、蓋帽層和柵極金屬填充層。其中，鐵電相種子層為具有納米鐵電微晶的氧化鋯，其中，第一鐵電相種子層形成于柵氧層之上；鐵電層形成于第一鐵電相種子層和第二鐵電相種...

本發明涉及一種三維動態隨機存取存儲器陣列的制備方法，涉及半導體技術領域，解決了現有的3D?DRAM方案集成密度較低的技術問題。該三維動態隨機存取存儲器陣列的制備方法包括如下步驟：依次形成多個垂直堆疊的疊層；在多個垂直堆疊的疊層上形成沿著...

本申請提供了一種基于存內計算Macro的CNN加速系統，涉及計算機技術領域。該CNN加速系統具有高能效、低延遲的特點，暫存區模塊和狀態控制模塊作為獨立的端點通過總線連接到CPU上可極大限度的降低數據在進出CPU和外設之間的延遲；在CNN...

本申請提供了一種具有空腔的臺階基板制造方法，包括：在襯底上壓合鍵合層；在鍵合層背離襯底的一側壓合開窗板；溶解鍵合層上相對于開窗板的窗口的位置處的鍵合材料；固化鍵合層。通過優化的鍵合工藝，在開窗板鍵合后，有效減小開窗板開窗中溢膠，且鍵合層...

本公開提出了一種鐵電晶體管的柵極退火方法，包括：在襯底上形成N/P阱層、源極和漏極，其中，源極和漏極形成于N/P阱層的兩端；在源極區域和漏極區域沉積形成激光反射層；通過原子層沉積工藝，在柵極區域沉積鐵電材料，形成鐵電層，對鐵電層進行表面...