本申請公開了一種基于鐵電場效應晶體管的存儲裝置及其制作方法，該存儲裝置包括：半導體襯底；位于所述半導體襯底一側的底部選通晶體管；位于所述底部選通晶體管遠離所述半導體襯底一側的控制柵堆疊結構，所述控制柵堆疊結構包括：多層交錯排布的柵極隔離...

本發明公開了一種基板結構的制作方法和基板結構，涉及封裝基板技術領域，以解決現有技術中最終形成的封裝基板的質量受限于芯板的厚度的問題。所述基板結構的制作方法包括：提供一具有相對的第一面和第二面的基板；沿第一面至第二面的方向，開設貫穿基板的...

本申請公開一種玻璃基板及其制造方法，涉及半導體封裝技術領域。玻璃基板的制造方法包括：玻璃芯板開孔、形成第一種子層、形成第一掩膜、通孔金屬化、去除第一掩膜和被第一掩膜覆蓋的第一種子層、塞孔并形成第一樹脂層、形成第二種子層、形成第二掩膜、形...

本發明公開了一種電池界面修飾材料及其修飾方法，所述修飾材料在50～120℃下，飽和蒸氣壓為0.1～30kPa。上述的修飾材料修飾電池界面的方法，包括：將待修飾物和所述修飾材料置于密閉環境中，誘導所述修飾材料揮發和升華，使所述修飾材料附著...

本發明提供了一種自參考干涉儀棱鏡光程差檢測系統，包括自參考干涉儀棱鏡、偏振分光棱鏡、第一反射鏡、第二反射鏡、分光棱鏡、第一半波片和第二半波片，所述偏振分光棱鏡和所述分光棱鏡均設置在所述自參考干涉儀棱鏡的下方，在所述偏振分光棱鏡的前方設有...

本發明公開一種TiN薄膜及肖特基柵極金屬的制備方法，涉及半導體器件技術領域，以解決現有技術中以Ni作為毫米波器件的柵極接觸金屬時穩定性差的問題。方法包括：提供襯底；在襯底上形成第一光刻膠層；對第一光刻膠層進行預處理，得到位于襯底上的目標...

本申請公開一種封裝基板結構及其制造方法。本申請提供的封裝基板結構包括芯板、第一種子層、芯板線路層、孔口焊盤、第一樹脂層、第二種子層、內線路層、多層組合結構、阻焊層以及焊球。內線路層采用埋線路工藝，先在第一樹脂層刻蝕形成線路槽，再加工形成...

本發明公開一種原子層沉積工藝仿真建模方法、裝置及設備，涉及集成電路制造領域，用于解決現有技術中僅對工藝參數進行量化，無法針對不同襯底結構，確定不同襯底表面形貌隨著反應時間的演化情況的問題。包括：定義原子層沉積工藝中待沉積的多維襯底的結構...

本公開提供了一種低功耗數字運算電路和數字運算系統。本公開的電路包括：運算功能選擇模塊，用于確定當前運算的運算模式；符號判斷模塊，用于對第一輸入數據和第二輸入數據的正負性進行判斷，對第一輸入數據和第二輸入數據進行去符號操作，輸出無符號的第...

本發明公開了一種基板結構的制作方法和基板結構，涉及封裝基板技術領域，以解決現有技術中最終形成的封裝基板的質量受限于芯板的厚度的問題。所述基板結構的制作方法包括：提供一具有相對的第一面和第二面的基板；沿第一面至第二面的方向，開設貫穿基板的...

本發明涉及一種介質打孔型光子帶隙封裝天線及其制備方法，屬于封裝天線技術領域，解決了現有的介質打孔型光子帶隙封裝天線使天線諧振頻率落在光子帶隙范圍內的過程較復雜的問題。該介質打孔型光子帶隙封裝天線包括從下至上依次設置的重構晶圓和基板，基板...

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種電光調制芯片、電光調制器及其成型方法；利用Z?cut薄膜鈮酸鋰芯片平面各向同性和豎直方向調制電場，克服了現有技術波導彎曲前后晶軸反轉的缺陷，實現了靈活緊湊的布局，同時利用垂直電極結構在波導彎曲與結構...

本申請公開了一種單粒子效應的仿真方法及相關產品，可應用于半導體器件抗輻照技術領域，該方法包括：獲取FDSOI?MOSFET器件對應的校準后的器件模型；基于校準后的器件模型，調用Optical?Generation物理模型規定目標入射光線...

本發明公開一種超寬帶壓控振蕩器電路，涉及半導體集成電路技術領域，用于解決現有技術中的壓控振蕩器電磁干擾風險、頻率調節范圍窄且功耗較高的問題。包括開關電容陣列、變壓器負載開關電感、可變電容以及交叉耦合管；變壓器負載開關電感的兩端分別與開關...

本申請提供一種互補場效應晶體管及其制造方法、一種靜態隨機存取存儲器，方法包括：提供襯底，形成疊層結構。對疊層結構和部分厚度的襯底進行刻蝕形成鰭片結構，鰭片結構包括第一鰭片結構和第二鰭片結構。形成底部源極和底部漏極，形成頂部源極和頂部漏極...

本申請公開了一種人工智能芯片測試方法、裝置及系統，涉及人工智能技術領域，包括：測試主機向人工智能芯片發送第一測試指令以及至少一個第一測試數據，第一測試指令用于指示人工智能芯片基于目標人工智能模型執行目標任務推理；測試主機將第一測試數據的...

本申請提供了一種工藝窗口確定方法和相關裝置，建立帶有空氣層的表面等離子體光刻結構對應的表面等離子體光刻模型，通過表面等離子體光刻模型進行仿真，確定光刻后的光刻膠圖形，以及光刻膠圖形的線寬；調整表面等離子體光刻模型中的曝光能量，以及空氣層...

本發明提供了一種檢測自參考干涉儀棱鏡光程差的方法，包括：白光光源發出的光進入偏振分光棱鏡后分成兩束偏振光，在偏振分光棱鏡上方安裝自參考干涉儀棱鏡，在位移臺上分別安裝第一反射鏡和第二反射鏡，在自參考干涉儀棱鏡下方設置分光棱鏡，在偏振分光棱...

本申請實施例提供一種等離子體光刻成像的訓練方法及裝置，包括：獲取等離子體光刻成像的訓練成像結構，訓練成像結構包括呈二維周期性變化的多個訓練掩模圖形，根據訓練成像結構構建仿真模型，根據仿真模型模擬得到訓練掩模圖形對應的訓練等離子體光刻成像...

本申請公開了一種時序監測方法及相關裝置，涉及計算機應用領域，包括：獲取起始事件觸發信號和起始事件標識信號；在檢測到起始事件觸發信號的上升沿的情況下根據預設頻率的時鐘信號開始進行時間計數，生成時間計數值；對起始事件標識信號進行解析，在獲得...