本公開提供了一種適用于激光跟蹤儀誤差修正的光軸偏角及平移量的測量方法，包括：激光跟蹤儀發射初始激光束，初始激光束出射到位置敏感探測器上形成光斑，光斑的位置具有對應的二維坐標信息；依次將位置敏感探測器放置在離激光跟蹤儀的多個不同遠近距離處...

本發明公開一種逆F類功率放大器及通信設備，涉及集成電路技術領域，以解決現有的逆F類功率放大器在獲得高效率的同時，電路面積較大的問題。所述逆F類功率放大器包括依次電連接的輸入匹配電路、功率放大電路、諧波控制電路和輸出匹配電路。輸入匹配電路...

本發明公開一種垂直型霍爾器件及其制造方法，涉及半導體技術領域，用于解決現有技術中垂直型霍爾傳感器具有靈敏度低、失調電壓高的問題。器件包括：襯底，襯底上進行N型摻雜形成的n?well區域；n?well區域中刻蝕有多個溝槽結構，形成有N型重...

本申請公開了一種真空規，包括：第一殼體，所述第一殼體具有第一容納腔；位于所述第一容納腔內的第二殼體，所述第二殼體具有第二容納腔，所述第二殼體和所述第一殼體之間具有第三容納腔；位于所述第二容納腔內的氣體壓力檢測組件；接口組件，所述接口組件...

本發明涉及一種全球衛星搜救系統的二代遇險信標生成裝置和方法，屬于電路及信號處理技術領域，解決如何將二代遇險信標的搜救信號應用于全球衛星搜救系統的問題。裝置包括：數字信息編碼模塊生成符合全球衛星搜救系統二代遇險信標的數字消息并按照奇偶分為...

本申請提供了一種互補場效應晶體管及其制造方法、一種靜態隨機存取存儲器，方法包括：提供襯底，形成疊層結構，在多個待填充縫隙中形成第二類型功函數層，填充保護材料形成保護層，利用各向異性工藝刻蝕第一厚度的保護層，繼續利用各向同性工藝刻蝕第二厚...

本公開提供了一種自旋邏輯器件、自旋邏輯存儲器件及制備方法。自旋邏輯器件包括：氧化物層；多鐵層，位于所述氧化物層上且與所述氧化物層之間形成作為傳輸層的二維電子氣，以自旋波的形式傳遞自旋流；自旋軌道耦合層，包括第一自旋軌道耦合單元和第二自旋...

本發明涉及半導體技術領域，尤其是涉及一種納米級硅通孔及其制備方法，包括以下步驟：提供半導體襯底；采用Bosch工藝在半導體襯底表面制備納米級溝槽；采用原子層刻蝕工藝對納米級溝槽的側壁進行刻蝕形成光滑的側壁；采用原子層沉積工藝沉積介電層；...

本申請公開了一種三維探測器及其制備方法，涉及半導體器件領域，制備方法包括：提供半導體襯底，包括半導體基底以及位于半導體基底一側表面上的半導體器件層；在半導體器件層內形成中央電極以及圍繞中央電極的溝槽電極，中央電極與溝槽電極的摻雜類型不同...

本發明涉及一種SOT?MRAM結構、全電控寫入器件及制備方法，屬于半導體器件技術領域，解決了現有具有PMA的MRAM需要外部磁場來實現確定性的SOT磁場翻轉，導致能耗高，并且不能高密度集成的問題。SOT?MRAM結構包括磁性隧道結，所述...

本公開提供了一種供配電模組及封裝供配電模組的方法，供配電模組包括：變壓器；兩個封裝模塊，每個封裝模塊包括：封裝基板，封裝基板的底面設置有導電層，兩個導電層分別與變壓器的頂部和底部電連接，以形成垂直堆疊；以及多個電功能器件，封裝在封裝基板...

本申請屬于微電鑄技術領域，具體涉及一種提高微電鑄層厚度均勻性的方法。本申請公開的方法包含將可移動輔助模具置于光刻膠模具上方，其中，可移動輔助模具與光刻膠模具相對的表面之間貼合并壓緊后再進行電鑄以形成鑄件。該方法能夠解決電鑄過程中由于陰極...

本發明涉及電容式薄膜真空計技術領域，具體公開了一種電容式薄膜真空計，包括膜盒外殼、推力電極、金屬膜片、推進裝置，膜盒外殼的內部為真空腔室，膜盒外殼的一側設置有開口；推力電極設置于膜盒外殼的內部，推力電極可滑動地卡設于開口；金屬膜片連接于...

本發明公開了一種硅通孔轉接板及其制造方法、2.5D集成模組及其制造方法，該硅通孔轉接板的制造方法中載片的Si?O<subgt;2</subgt;層與硅通孔接觸，形成Cu?SiO<subgt;2</subgt;混合...

本發明提供了一種窄溝槽二次成像方法。本發明的窄溝槽二次成像方法，包括如下步驟：S1：在襯底的氮化硅層上生長第一氧化硅層，光刻、刻蝕，形成第一寬溝槽圖形；S2：繼續生長第一氧化硅層，刻蝕氮化硅層上生長的氧化硅，形成第一窄溝槽圖形；S3：將...

本發明公開一種抗單粒子翻轉的異步逐次逼近寄存器，涉及模擬集成電路技術領域，用于解決現有技術中不能抗單粒子翻轉的可靠性問題。包括：上下兩排TSPC型D觸發器組成的鏈式結構；TSPC型D觸發器抗單粒子翻轉且帶有復位和置位；TSPC型D觸發器...

本發明公開了一種用于真空規的調零工裝裝置，用于調整真空規的調零旋鈕，調零工裝裝置包括：固定手柄，固定手柄內部形成容納空間，固定手柄上設有至少一個槽口，槽口與容納空間連通；轉動手柄，設置于容納空間內，轉動手柄能夠在容納空間內轉動，轉動手柄...

本發明公開了一種薄膜真空規一體化測試裝置。其中裝置包括數字采集存儲模塊、電源模塊、數據顯示控制器、第一薄膜真空規接口及第二薄膜真空規接口；第一薄膜真空規接口與第二薄膜真空規接口分別用于連接到第一薄膜真空規與第二薄膜真空規；數字采集存儲模...

本發明公開了一種鍵合界面厚度可控的異質鍵合器件的制備方法、異質鍵合器件和電光調制器，涉及光電技術領域。異質鍵合器件的制備方法，包括：提供光電薄膜材料芯片；提供晶圓，所述晶圓包括晶圓氧化層；將所述光電薄膜材料芯片與所述晶圓氧化層鍵合。電光...

本發明涉及一種磁電非易失存儲器及其制備方法，屬于半導體器件技術領域，解決了現有存儲器能耗高的問題。該磁電非易失存儲器包括鐵電存儲器和磁存儲器；其結構包括自下而上依次設置的鐵電底電極層、鐵電層、MRAM底電極層、自由層、隧穿層、參考層、中...