本發明提供了一種薄膜真空規的溫度控制系統，涉及真空氣壓測量設備技術領域，包括加熱器、傳感器和溫度控制器；其中，加熱器為圓柱狀筒體結構，加熱器內放置有薄膜真空規；溫度控制器基于預設溫度控制加熱器在恒流模式下對薄膜真空規均勻加熱；傳感器設置...

本申請公開了一種倍頻器，簡化了倍頻器的電路結構、降低了成本。該倍頻器包括：雙輸入或非門、第一低通濾波器、雙輸入異或門、第一PMOS管P2、N型FDSOI晶體管M2、比較器、第一電容C2以及遲滯比較器；雙輸入或非門的兩個輸入端分別接收使能...

本發明公開了一種薄膜真空規的抗干擾性能檢測系統及方法，涉及真空計量技術領域，主要目的在于解決薄膜真空規抗干擾能力檢測的準確度較低的問題。該系統主要包括電磁干擾信號發射裝置、薄膜真空規測量裝置及檢測結果生成裝置；電磁干擾信號發射裝置，用于...

本發明涉及一種基于分層競爭脈沖神經網絡的圖像分類方法及系統，屬于圖像分類領域，解決了圖像分類時識別準確率低的問題，包括:將預處理后的圖像數據輸入訓練好的SNN網絡，得到圖像的預測分類標簽；其中，對所述SNN網絡引入競爭策略，包括：對輸入...

本發明提供了一種壓電MEMS微鏡及制造方法，涉及微鏡技術領域，包括制作SOI基底；在SOI基底上沉積多層金屬層和多層壓電材料層，形成多層堆疊結構，并對多層堆疊結構進行刻蝕，使得多層堆疊結構呈階梯狀；對SOI基底遠離多層堆疊結構一側進行深...

本申請公開了一種用于提高表面平整度的MEMS器件制作方法及MEMS器件，該方法包括：獲取基礎SOI片，通過順序沉積金屬底電極、壓電材料及金屬頂電極構建襯底。采用離子束刻蝕金屬層，濕法刻蝕壓電材料，確保精確圖形化。隨后，生長絕緣保護層，電...

本申請公開了一種基于真空規的設備控制裝置，涉及真空規技術領域。其中方法包括：真空規和控制模塊，所述控制模塊的兩端分別與所述真空規和被控設備連接；所述控制模塊，用于接收所述真空規測量的壓力信號，并根據所述壓力信號和預設觸發壓力，控制所述被...

本申請公開了一種毫米波段的玻璃基射頻微系統及其制備方法，涉及射頻通信系統技術領域，玻璃基射頻微系統包括：射頻模塊，射頻模塊包括：第一玻璃基板，具有相對第一表面和第二表面；毫米波通信芯片，固定在第一玻璃基板內；毫米波通信芯片與第一玻璃基板...

本發明提供一種電容薄膜真空規。該電容薄膜真空規包括主體和溫度調節組件，其中，溫度調節組件包括貼合設置在主體外側的柔性加熱件，柔性加熱件具有與主體貼合的柔性貼合層以及設置于柔性貼合層背離主體一側的加熱層，加熱層用于加熱主體至預定溫度。柔性...

本申請提供了一種壓控振蕩器及電子設備，涉及電子信息技術領域。通過P型交叉耦合對和N型交叉耦合對即能夠實現補償諧振模塊的寄生電阻消耗的能量，進而簡化了壓控振蕩器的組成結構，有利于實現壓控振蕩器的小型化和低成本化。并且，本申請通過偏置產生電...

本說明書實施例提供了一種CIC濾波補償器選擇方法、裝置、電子設備及介質，其中，方法包括：根據降采樣濾波器的降采樣倍數和濾波階數確定濾波補償器的濾波參數；對所述濾波參數進行CSD定點，得到定點化后的濾波參數和與所述定點化后的濾波參數對應的...

本申請公開了一種芯片電路時序分析方法及相關裝置，涉及電子芯片技術領域，包括：基于各個路徑集合的延時值與滿足時序條件的難度的相關關系，將路徑集合按照滿足時序條件的難度從大到小排序得到路徑集合序列，按照在時序條件對應的路徑集合序列中序位從小...

本發明公開一種半導體器件，涉及半導體技術領域，以降低柵堆疊結構之間的寄生電容，改善半導體器件的交流特性。半導體器件包括半導體基底、第一環柵晶體管、第二環柵晶體管、絕緣層、以及第一介質隔離層和第二介質隔離層。絕緣層設置在第一環柵晶體管包括...

本發明公開了一種半導體器件的制造方法，涉及半導體技術領域，以提高半導體器件的良率。半導體器件的制造方法包括：在半導體基底上形成鰭狀結構。鰭狀結構包括交替層疊的第一犧牲層和溝道層、以及交替層疊的第二犧牲層和第三犧牲層。第二犧牲層和第三犧牲...

本發明公開一種半導體器件的制造方法，涉及半導體技術領域，以提高半導體器件的良率。半導體器件的制造方法包括：在半導體基底上形成鰭狀結構。沿半導體基底的厚度方向，鰭狀結構包括交替層疊的第一犧牲層和溝道層、以及交替層疊的第二犧牲層和第三犧牲層...

本發明提供了一種碳納米管晶圓薄膜透射電鏡制樣方法。本發明的碳納米管晶圓薄膜透射電鏡制樣方法，包括如下步驟：S1：在硅襯底表面依次生長二氧化硅層和碳納米管薄膜，在碳納米管薄膜表面涂覆高分子溶液形成高分子支撐層；S2：利用選擇性刻蝕液刻蝕二...

本公開提供了一種用于逐次逼近式模數轉換器的變速門控環振時鐘電路，可以應用于模/數轉換器技術領域。該電路包括：比較模塊，用于生成與逐次逼近式模數轉換器的當前轉換位數相對應的比較信號；控制模塊，所述控制模塊用于根據所述逐次逼近式模數轉換器的...

本申請提供了一種太赫茲喇叭天線及其制備方法，涉及移動通信系統技術領域。將天線層設置為具有喇叭天線凹槽結構的天線層，由于喇叭天線自身優勢，使得太赫茲喇叭天線具有結構簡單、便于控制增益、頻率特性優良、損耗小等優點。并且，本申請提供的天線層和...

本申請公開了一種基于鐵電場效應晶體管的存儲裝置及其制作方法，該存儲裝置包括：半導體襯底；位于所述半導體襯底一側的底部選通晶體管；位于所述底部選通晶體管遠離所述半導體襯底一側的控制柵堆疊結構，所述控制柵堆疊結構包括：多層交錯排布的柵極隔離...

本發明公開了一種基板結構的制作方法和基板結構，涉及封裝基板技術領域，以解決現有技術中最終形成的封裝基板的質量受限于芯板的厚度的問題。所述基板結構的制作方法包括：提供一具有相對的第一面和第二面的基板；沿第一面至第二面的方向，開設貫穿基板的...